一种低残压低电容单向ESD保护器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种低残压低电容单向ESD保护器件，包括N型单晶，N型单晶顶面设置三个隔离介质层，相邻两个隔离介质层之间设置正面金属区，N型单晶内，顶部一侧设有P型扩散区，另一侧设置相连的N型接触区、P型接触区，P型扩散区底部为N型调整区，顶部设相连的N型接触区与P型接触区，本实用新型可以在芯片面积不变、芯片加工工序不变的条件下，获得更低的残压参数；通过高能注入的方式将N型调整区105由芯片表面位置调整到P型扩散区102底部，使得残压参数可以获得一定比例的降低；与常规结构相比，在芯片面积一定的条件下，本实用新型的残压参数可以降低10‑30%。
基本信息
专利标题 ：
一种低残压低电容单向ESD保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020652470.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN212010967U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
宋文龙杨珏琳张鹏李泽宏许志峰
申请人 ：
成都吉莱芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
查鑫利
优先权 ：
CN202020652470.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/8228
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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