高通流能力的单向ESD保护器件
授权
摘要
本实用新型公开一种高通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料，N型衬底材料正面外延有N型外延层，N型外延层内设有带高低不同的深浅PN结的P型扩散区，N型外延层上淀积隔离介质层，隔离介质层和P型扩散区外正面溅射或蒸发正面金属区，N型衬底材料背面减薄并金属化形成背面金属区。步骤1）制备N型衬底材料，生长一层N型外延层；步骤2）在N型外延层102上生长一层牺牲氧化层，获得高低不同的深浅PN结；步骤3）正面硼注入，形成P型扩散区；步骤4）：正面淀积隔离介质层，正面光刻形成接触孔区；步骤5）正面溅射或蒸发金属；形成正面金属区和背面金属区。形成结深不同的深浅结，进而获得更高的通流能力。
基本信息
专利标题 ：
高通流能力的单向ESD保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020649550.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN212342625U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
宋文龙杨珏琳张鹏李泽宏许志峰
申请人 ：
成都吉莱芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢海洋
优先权 ：
CN202020649550.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06 H01L21/8222
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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