一种LDMOS触发的可编程单向保护器件
授权
摘要
本发明涉及一种LDMOS触发的可编程单向保护器件，属于功率半导体技术领域。该单向保护器件通过一个由LDNMOS和NPNP晶闸管组成的负向保护结构提供电话线上负向浪涌保护；或者通过一个由LDPMOS和PNPN晶闸管组成的正向保护结构提供电话线上正向浪涌保护，避免了SLIC受到雷电等因素造成的浪涌冲击而损坏整机系统。另外，与已有的半导体抗浪涌保护器件相比，本发明LDMOS工艺与晶闸管工艺兼容，可单片集成；且LDMOS为单极型器件，相比使用三极管，功耗更低，开关速度也更快，利于该保护器件对浪涌更快响应且实现有效防护，此外，LDMOS有较好的温度特性，可防止热耗散的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种LDMOS触发的可编程单向保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111627905A
申请号 ：
CN202010501486.2
公开（公告）日 ：
2020-09-04
申请日 ：
2020-06-04
授权号 ：
CN111627905B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
李泽宏何云娇莫家宁王彤阳蒲小庆程然王志明任敏张金平高巍张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
霍淑利
优先权 ：
CN202010501486.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-09-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20200604
申请日 : 20200604
2020-09-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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