一种低压低电容单向ESD保护器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种低压低电容单向ESD保护器件，包括P型单晶材料、隔离介质层、正面金属区、背面金属区；P型单晶材料两侧设有N型隔离区，P型单晶材料的上方设有P型调整区和N型扩散区，P型单晶材料的下方设有P型调整区。本实用新型可以实现单颗芯片完成低压低电容的单向ESD保护，封装难度低，可靠性高。本实用新型既包括穿通型三极管又包括降容二极管。本实用新型的穿通型三极管将纵向击穿调整为横向击穿，同时引入P型调整区，可以在低电压的条件下，获得更低的漏电流。本实用新型的降容二极管可以通过调整P型单晶材料的电阻率可以获得需求的电容值。本实用新型以P型单晶为材料，不同于传统结构的外延材料，从而具有制造成本低的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种低压低电容单向ESD保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020649583.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN212342626U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
宋文龙杨珏琳张鹏李泽宏许志峰
申请人 ：
成都吉莱芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢海洋
优先权 ：
CN202020649583.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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