一种低电容的双向ESD保护器件
授权
摘要
本实用新型公开一种低电容的双向ESD保护器件，包括单晶材料P‑，P‑上方的是N+扩散区，N+扩散区上方分别为金属层I和金属层II，金属层I和金属层II分别接不同的电位，金属层I和金属层II与N+扩散区之间的为介质层，P‑和N+扩散区之间设有N‑BURY埋层扩散区。通过引入N‑BURY埋层扩散区，可以有效的扩展耗尽层，加大耗尽层的宽度，有效的减小电容，从而使双向ESD保护器件在低击穿电压的条件下，可以获得合适的低电容。通过调整N‑BURY埋层扩展区的杂质浓度、与N+扩散区的间距以及分布形貌，可以调整电容值，从而获得理想的电容值。
基本信息
专利标题 ：
一种低电容的双向ESD保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921082012.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-11
授权号 ：
CN210467835U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
宋文龙杨珏琳张鹏
申请人 ：
成都吉莱芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
查鑫利
优先权 ：
CN201921082012.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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