一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法，制备方法包括：制备N型衬底材料；制备N型外延层；生长一层牺牲氧化层，正面光刻形成P型扩散区图形，正面硼注入，硼推进；正面光刻形成N+扩散区图形，正面磷注入；正面光刻形成P+扩散区图形，正面硼注入，硼推进，形成N+扩散区、P+扩散区；正面淀积隔离介质层，正面光刻形成接触孔区；正面溅射或蒸发金属，合金；背面减薄，背面金属。发明在P型扩散区上方引入P+扩散区，P+扩散区的光刻间距为L，设计L的尺寸，使得由P+扩散区、N型外延层、P+扩散区组成的PNP结构在击穿电压3.3‑6V实现穿通，达到低压低漏电流的要求，通过优化N型外延层的浓度与光刻间距L的尺寸，可以获得小于1uA的漏电流。
基本信息
专利标题 ：
一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388631A
申请号 ：
CN202111659083.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张鹏宋文龙杨珏琳王志明
申请人 ：
江苏吉莱微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市启东市汇龙镇牡丹江西路1800号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
查鑫利
优先权 ：
CN202111659083.1
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/861
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
