一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法,制备方法包括:制备N型衬底材料;制备N型外延层;生长一层牺牲氧化层,正面光刻形成P型扩散区图形,正面硼注入,硼推进;正面光刻形成N+扩散区图形,正面磷注入;正面光刻形成P+扩散区图形,正面硼注入,硼推进,形成N+扩散区、P+扩散区;正面淀积隔离介质层,正面光刻形成接触孔区;正面溅射或蒸发金属,合金;背面减薄,背面金属。发明在P型扩散区上方引入P+扩散区,P+扩散区的光刻间距为L,设计L的尺寸,使得由P+扩散区、N型外延层、P+扩散区组成的PNP结构在击穿电压3.3‑6V实现穿通,达到低压低漏电流的要求,通过优化N型外延层的浓度与光刻间距L的尺寸,可以获得小于1uA的漏电流。
基本信息
专利标题 :
一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388631A
申请号 :
CN202111659083.1
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张鹏宋文龙杨珏琳王志明
申请人 :
江苏吉莱微电子股份有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市启东市汇龙镇牡丹江西路1800号
代理机构 :
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 :
查鑫利
优先权 :
CN202111659083.1
主分类号 :
H01L29/861
IPC分类号 :
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/861
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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