一种单向ESD保护器件

著录事项变更

摘要

一种单向ESD保护器件，包含上方设P‑外延层一区和P‑调整区的N+衬底材料区；P‑外延层一区和P‑调整区上方各设P‑外延层二区Ⅰ、P‑外延层二区Ⅱ；P‑外延层二区Ⅰ、P‑外延层二区Ⅱ顶部各设N+扩散区、P+扩散区；P‑外延层二区Ⅰ和P‑外延层二区Ⅱ上方分开设表面钝化层，使N+扩散区和P+扩散区顶面中间露出。该中间露出的部位和表面钝化层上方设金属层Ⅰ；N+衬底材料区底部设金属层Ⅱ；N+衬底材料区上设槽区；槽区向上直线延伸，经P‑外延层一区和P‑调整区之间，直至P‑外延层二区顶部边沿。本实用新型可以有效地解决现有的单向ESD保护器件在制造上的难度和参数一致性的问题。

基本信息

专利标题：

一种单向ESD保护器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921278836.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-12

授权号：

CN210723025U

授权日：

2020-06-09

发明人：

宋文龙杨钰琳张鹏

申请人：

成都吉莱芯科技有限公司

申请人地址：

四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司

代理人：

查鑫利

优先权：

CN201921278836.2

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L29/732

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

法律状态

2020-08-14 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 27/02
变更事项 : 发明人
变更前 : 宋文龙杨钰琳张鹏
变更后 : 宋文龙杨珏琳张鹏

2020-06-09 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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