一种三端口低压低容精确对称高浪涌保护器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种三端口低压低容精确对称高浪涌保护器件,该阵列器件包括引线框架、硅芯片组件,引线框架包括主岛和伸出于主岛的至少三个引脚;硅芯片组件包含三组保护单元及一硅芯片衬底,三组保护单元在硅芯片衬底上呈横向对称排布,每组保护单元内均集成有PNPN晶闸管保护结构;三组所述保护单元对外依次设置有第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘。本实用新型在同一硅衬底上集成有三组高浪涌保护单元,通过其结构设置,任选两组连接至外部两条通讯线路实现差模防护,剩余第三组连接至GND实现共模防护,同时在芯片设计时兼顾击穿电压、结电容、通流能力之间的最优平衡,使其具备最大化浪涌电流、低电容、双向精确对称、差模共模共同防护的能力。
基本信息
专利标题 :
一种三端口低压低容精确对称高浪涌保护器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123107445.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-10
授权号 :
CN216624273U
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
吴月挺仇利民戴剑龚建
申请人 :
苏州晶讯科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
潘文斌
优先权 :
CN202123107445.4
主分类号 :
H01L25/07
IPC分类号 :
H01L25/07 H01L23/495 H01L23/49 H01L23/488 H01L23/62
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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