一种低压低电容TVS器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了一种低压低电容TVS器件，属于半导体技术领域。包含衬底101；形成于衬底之上的缓冲外延层201；形成于缓冲外延层201上的雪崩二极管D1和TVS二极管D3；形成于雪崩二极管D1和TVS二极管D3上的本征外延层301；形成于本征外延层301之上的普通二极管D2和N型注入层402；沟槽结构302，所述沟槽结构穿透缓冲外延层201，深入衬底101；所述雪崩二极管D1由P型外延201和N型埋层202形成；所述普通二极管D2由P型注入层401和本征外延层301形成；所述TVS二极管D3由本征外延层301和缓冲外延层201形成。本实用新型提供的TVS器件可以提高器件20％的ESD能力，同时器件整体漏流水平降低50％。
基本信息
专利标题 ：
一种低压低电容TVS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921838968.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN211629113U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
王西政
申请人 ：
无锡和达创芯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号F11栋二楼创星孵化器
代理机构 ：
无锡嘉驰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
盛际丰
优先权 ：
CN201921838968.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-01 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/02
登记生效日 : 20220322
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无锡和达创芯科技有限公司
变更后权利人 : 无锡昱芯微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号F11栋二楼创星孵化器
变更后权利人 : 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋302-6室
登记生效日 : 20220322
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无锡和达创芯科技有限公司
变更后权利人 : 无锡昱芯微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号F11栋二楼创星孵化器
变更后权利人 : 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋302-6室
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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