一种低残压低容值的ESD器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种低容值低残压ESD保护器件，由两个低容二极管(D1、D2)、一个SCR管和一个穿通型钳位TVS构成三端器件，第一降容管D1的阳极与SCR管的阴极相连，D1管的阴极与D2的阴极相连形成第一端口IO1，T1的阳极与TVS管的阴极形成第二端口IO2，TVS的阳极与D2的阳极构成第三端口GND。本实用新型通过将SCR管结构与降容管的集成，实现了低容低残压保护，器件结构上利用SCR管的半骤回特性有效降低了器件的残压，并通过高阻外延层降低了器件的结电容。
基本信息
专利标题 ：
一种低残压低容值的ESD器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020477945.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-03
授权号 ：
CN211507635U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
张跃
申请人 ：
欧跃半导体（西安）有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办上林苑一路15号A栋A-205室
代理机构 ：
西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李英俊
优先权 ：
CN202020477945.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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