半导体器件的热阻K值采集装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体器件的热阻K值采集装置，该半导体器件具有导通状态和截止状态，包括：电流源，具有向该半导体器件提供测试电流的输出端；选择开关，具有用于提供不同电流路径的第一开关状态和第二开关状态，以使测试电流的电流方向与该半导体器件的导通状态的电流方向相同；加热装置，该半导体器件放置在其内部，用来改变该半导体器件的温度，电压测量装置，与该半导体器件连接，具有获得该半导体器件导通电压的输入端，其中，热阻K值采集装置根据该半导体器件的导通电压随温度的变化曲线获得K值。该热阻K值采集装置通过选择开关切换电流方向，可以实现连续采集不同类型的半导体器件的热敏参数，因而提高了测试效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的热阻K值采集装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921928467.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-08
授权号 ：
CN211785909U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
汪剑华林晨轶周鋆
申请人 ：
杭州士兰集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN201921928467.7
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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