SMD-3封装功率器件热阻测试装置
授权
摘要

本实用新型的SMD‑3封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧框架和电极引出组件;所述环氧框架安装在所述散热基板上;待测SMD‑3封装功率器件置于所述环氧框架内,待测SMD‑3封装功率器件的第二引出端电极与所述散热基板接触,满足散热同时形成电连接;该第二引出端电极两侧的第一引出端电极和第三引出端电极通过所述电极引出组件与热阻测试仪连接;第一引出端电极和第三引出端电极与所述散热基板隔开。本实用新型的SMD‑3封装功率器件热阻测试装置解决了SMD‑3封装功率半导体器件热阻测试的问题。

基本信息
专利标题 :
SMD-3封装功率器件热阻测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020374303.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-23
授权号 :
CN212207568U
授权日 :
2020-12-22
发明人 :
刘楠张超李娟刘大鹏楼建设
申请人 :
上海精密计量测试研究所
申请人地址 :
上海市闵行区元江路3888号
代理机构 :
上海航天局专利中心
代理人 :
余岢
优先权 :
CN202020374303.0
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-12-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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