SMD-0.5/-1/-2封装功率器件热阻测试装置
授权
摘要
SMD‑0.5/‑1/‑2封装功率器件热阻测试装置，包括散热基板、塑料框架和电极引出组件；所述散热基板上设置有分别于SMD‑0.5、SMD‑1和SMD‑2封装功率器件尺寸适配的测试工位；与所述测试工位形状适配的塑料框架安装在所述测试工位上；待测SMD‑0.5/‑1/‑2封装功率器件置于对应的塑料框架内，待测SMD‑0.5/‑1/‑2封装功率器件中面积最大的第一引出端电极与所述散热基板接触，通过所述散热基板与热阻测试仪形成电连接；待测封装功率器件的第二、第三引出端电极通过所述电极引出组件与热阻测试仪连接；本实用新型解决了SMD‑0.5/‑1/‑2封装功率半导体器件热阻测试难的问题。
基本信息
专利标题 ：
SMD-0.5/-1/-2封装功率器件热阻测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020380109.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-23
授权号 ：
CN212207569U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
刘楠王昆黍李娟邵麟鲁子牛
申请人 ：
上海精密计量测试研究所
申请人地址 ：
上海市闵行区元江路3888号
代理机构 ：
上海航天局专利中心
代理人 ：
许丽
优先权 ：
CN202020380109.3
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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