用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质,所述半导体器件进入工作状态,其两端具有电压,等待开始所述瞬态热测试;用户根据所述半导体器件的实际电压值,在上位机中选择相应的参考电压值和电压量程;所述方法包括接收所述参考电压值及电压量程,据以生成所述实际电压值的取值范围;控制采集模块采集所述半导体器件的电压信号,且将实际电压值符合所述取值范围的电压信号加以存储,并传输至所述上位机。本发明的用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质,实现了以不同的采样率对电压信号的采集,并且输入电压量程可变,通过指定参考电压和选择量程实现了高精度的采样。

基本信息
专利标题 :
用于半导体器件瞬态热测试的电压采集方法、装置、系统及介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114527317A
申请号 :
CN202011196305.6
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2020-10-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨连乔简毛亮张弛吴马佳奇张建华
申请人 :
上海大学
申请人地址 :
上海市宝山区上大路99号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
徐秋平
优先权 :
CN202011196305.6
主分类号 :
G01R19/25
IPC分类号 :
G01R19/25  G01R31/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
G01R19/25
采用数字测量技术
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 19/25
申请日 : 20201030
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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