一种低压台面TVS半导体芯片及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种低压台面TVS半导体芯片，P型硅片的正面和背面设有上下对称的环状玻璃钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，P型硅片的生长氧化层，氧化层刻蚀有电极，P型硅片的正面和背面设有N+击穿区，正面和背面设有N+吸杂区，N+吸杂区和N+击穿区与P型硅片之间PN结形成了下凹上凸的结构。选择P型硅片；在P型硅片表面生长氧化层，进行正面、背面N+吸杂区的光刻，光刻后进行正面、背面N+吸杂区磷预扩散和再扩散分布，形成PN结结构；去除氧化层后，在P型硅片进行N+击穿区正面、背面磷预扩散；在P型硅片形成环状钝化沟槽；金属淀积、光刻、刻蚀，氧化层间隙形成T1/T2电极；合金。避免槽内击穿，有效提高减少芯片漏电的几率和提高器件IPP通流能力。
基本信息
专利标题 ：
一种低压台面TVS半导体芯片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497233A
申请号 ：
CN202111652146.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柯亚威张鹏王志明刘志雄
申请人 ：
江苏吉莱微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市启东市汇龙镇牡丹江西路1800号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
查鑫利
优先权 ：
CN202111652146.0
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/861
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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