台面型半导体器件的制造方法
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本发明是台面形半导体器件的制造方法。采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面。所开的槽与p-n结界面接近垂直。用这种台面制造方法特别适用于制造高压大功率晶体管，可提高制得器件的击穿电压，减少二次击穿，烧结时又不易引起焊料造成的短路，提高了器件的成品率。
基本信息
专利标题 ：
台面型半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100501A
申请号 ：
CN85100501.2
公开（公告）日 ：
1986-08-13
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1003830B
授权日 ：
1989-04-05
发明人 ：
何德湛陈益清胡顺帆何启丁严光华徐元森朱菊珍
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN85100501.2
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 H01L29/72
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
1991-08-21 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-11-22 ：
授权
1989-04-05 ：
审定
1988-08-31 ：
实质审查请求
1986-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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