半导体台面器件钝化方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种半导体台面器件钝化方法，它将腐蚀好的台面器件冲洗好后，立即放入预先配置好的HF，HNo3，HAc，H2O溶液内，使其先生成一层染色膜，然后去掉保护胶后进行稳定处理，接着放到淀积炉内再淀积一层氮化硅，最后再涂敷一层硅漆，这样在台面上形成染色膜-Si3N4-有机硅漆的多层保护层。经本工艺钝化的半导体台面器件具有良好的稳定性和可靠性，特别是在高温环境下工作的器件，其高温性能有了显著的提高。
基本信息
专利标题 ：
半导体台面器件钝化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1062619A
申请号 ：
CN90106103.4
公开（公告）日 ：
1992-07-08
申请日 ：
1990-12-19
授权号 ：
CN1023953C
授权日 ：
1994-03-09
发明人 ：
周春英吕亦梅汪秀娟
申请人 ：
上海汽车电器总厂
申请人地址 ：
200082上海市杨浦区惠民路591号
代理机构 ：
上海市机电工业管理局专利事务所
代理人 ：
夏永兴
优先权 ：
CN90106103.4
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
1997-01-29 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-03-09 ：
授权
1992-07-08 ：
公开
1991-06-19 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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