一种台面半导体器件钝化工艺及设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种台面半导体器件钝化工艺及设备，涉及台面半导体器件生产中的气相钝化工艺及其设备。本发明采用一种改进了的高压锅作为反应室HF-HNO3混合蒸汽和甲基三氯硅烷在加热、加压和红外光照的条件F对管芯发生作用，在台面上形成一层致密的钝化膜，从而提高了半导体器件的可靠性、稳定性和耐压强度等电气特性。
基本信息
专利标题 ：
一种台面半导体器件钝化工艺及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1032714A
申请号 ：
CN88109699.7
公开（公告）日 ：
1989-05-03
申请日 ：
1988-11-18
授权号 ：
CN1008674B
授权日 ：
1990-07-04
发明人 ：
刘秀喜
申请人 ：
山东师范大学
申请人地址 ：
山东省济南市文化东路38号
代理机构 ：
山东省高等院校专利事务所
代理人 ：
崔日新
优先权 ：
CN88109699.7
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
1993-03-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-01-30 ：
授权
1990-07-04 ：
审定
1989-10-04 ：
实质审查请求
1989-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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