清洗半导体器件的方法及其清洗半导体器件的设备
专利申请的视为撤回
摘要
本发明揭示了一种用于清洗半导体器件表面的清洗剂。该清洗剂包含这些成分：一种为清除有机和无机残余物的硫酸和双氧水混合液；用于产生氟的氟硫酸，氟用作清除其他残余物和微料的浸蚀剂；以及水。
基本信息
专利标题 ：
清洗半导体器件的方法及其清洗半导体器件的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1096400A
申请号 ：
CN94103346.5
公开（公告）日 ：
1994-12-14
申请日 ：
1994-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大西照人矢野航作野村登远藤政孝
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府门真市
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN94103346.5
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
1996-12-11 ：
专利申请的视为撤回
1994-12-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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