用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的方法

用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的...

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供用于清洗半导体器件的组合物，其包含(a)含量为10～90重量％的无机酸，(b)含量为0.0001～1重量％的氢氟酸化合物，(c)含量为0～5重量％的添加剂，及(d)余量的水，以移除在制造半导体器件的精细图案的干式蚀刻处理和灰化处理中产生的光致抗蚀剂和金属蚀刻聚合物的残余物。

基本信息

专利标题：

用于清洗半导体器件的组合物及利用该组合物清洗半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1847382A

申请号：

CN200510113719.7

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2005-10-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

洪银锡柳尚旭申讲燮白贵宗韩雄林廷训李相源金圣培金铉卓

申请人：

美格纳半导体有限会社

申请人地址：

韩国忠清北道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张平元

优先权：

CN200510113719.7

主分类号：

C11D7/08

IPC分类号：

C11D7/08 H01L21/304