用于半导体器件的引线框和半导体器件
授权
摘要
本公开的各实施例涉及用于半导体器件的引线框和半导体器件。引线框包括：激光直接构造材料的层压衬底，层压衬底具有相对的第一表面和第二表面；在衬底的第一表面处的导电结构的第一图案，导电结构的第一图案通过激光束处理而被形成；在衬底的第二表面处的导电结构的第二图案，导电结构的第二图案通过激光束处理而被形成；和在衬底的第一表面和衬底的第二表面之间延伸穿过衬底的导电通孔，导电通孔耦合到导电结构的第一图案和导电结构的第二图案中的导电结构中的至少一个导电结构。根据本公开的实施例的优点在于，成本被降低并且工艺被简化。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体器件的引线框和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020478624.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-03
授权号 ：
CN213546266U
授权日 ：
2021-06-25
发明人 ：
P·马格尼
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202020478624.5
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2021-06-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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