引线焊接结构及半导体器件
授权
摘要
本申请涉及一种引线焊接结构和半导体器件。其中，引线焊接结构包括基底；电路层，形成于所述基底内；焊垫，形成于所述电路层上并与所述电路层电连接，所述焊垫的上表面具有由凹槽和凸起交替排布构成的凹凸结构；硬质保护层，形成于所述凹凸结构上，所述硬质保护层开设有暴露部分所述凹凸结构的开口，所述硬质保护层的硬度大于所述焊垫的硬度；以及钝化层，形成于所述焊垫上，所述钝化层上开设有窗口，通过所述窗口暴露出所述硬质保护层和所述凹凸结构。通过设置硬质保护层，可以对凹凸结构进行加固，避免凹凸结构被焊球压平而失效。
基本信息
专利标题 ：
引线焊接结构及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922216850.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN210984718U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
吴秉桓刘杰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
汪洁丽
优先权 ：
CN201922216850.6
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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