用于半导体器件的引线框架
授权
摘要
采用本发明半导体器件引线框架的半导体器件具有将在其上安装半导体芯片的平台部分、连接到该平台部分的内部引线部分、和连接到该内部引线部分的外部引线部分。该引线框架包括：镍(Ni)层(1)，钯(Pd)或钯合金层(2)，锡(Sn)或锡合金层或者锌(Zn)或锌合金层(3)、(3a)或(3b)，以及金(Au)层(4)、(4a)或(4b)，从构成引线框架的基板材料表面开始在该基板材料上顺序形成全部各层。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体器件的引线框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838407A
申请号 ：
CN200610065564.9
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
关和光佐藤晴信吴宗昭
申请人 ：
新光电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本长野县
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈源
优先权 ：
CN200610065564.9
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2009-07-01 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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