半导体器件的内引线结构

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种半导体器件的内引线结构，包括用来电连接引线框架与装载在所述引线框架上芯片的内引线，其特征在于，在所述芯片的表面对应与所述内引线连接处焊接有桥接结构，所述桥接结构为金属介质，具体的，为金球或金合金球。半导体器件的内引线结构通过所述的桥接结构使内引线与所述芯片形成电连接，彻底解决了完全使用其它金属材料如铜作为内引线的工艺上的缺陷，提高了生产效率及产品的可靠性，同时比使用金线作为半导体器件的内引线大大节省了成本。

基本信息

专利标题：

半导体器件的内引线结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720074345.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-03

授权号：

CN201112381Y

授权日：

2008-09-10

发明人：

褚卫兵施震宇曾小光陈卫东罗礼雄

申请人：

葵和精密电子(上海)有限公司

申请人地址：

201614上海市松江出口加工区B区东开置业园B1型标准厂房

代理机构：

上海恩田旭诚知识产权代理有限公司

代理人：

丁国芳

优先权：

CN200720074345.7

主分类号：

H01L23/485

IPC分类号：

H01L23/485 H01L23/488