引线焊接结构及半导体器件
授权
摘要
本申请涉及一种引线焊接结构及半导体器件。其中，引线焊接结构包括形成于基底内的电路层和依次叠设于电路层上的焊垫、阻挡层和钝化层，阻挡层的硬度大于焊垫的硬度，阻挡层的预设区域内开设有暴露出焊垫的第一窗口且第一窗口未超出预设区域，预设区域的宽度小于打线后的焊球的宽度；钝化层上开设有宽度大于预设区域的第二窗口，通过第二窗口暴露出全部预设区域的第二窗口。通过在钝化层和焊垫之间设置阻挡层，在阻挡层上可设第一窗口并限定阻挡层的开窗范围，打线后的焊球可以覆盖所有第一窗口，使焊球与焊垫焊接的同时，还能避免焊垫溢出。
基本信息
专利标题 ：
引线焊接结构及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922216848.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN211017067U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
石慧
优先权 ：
CN201922216848.9
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L23/498 H01L21/603
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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