掩模板组合、半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种掩模板组合、半导体器件，通过本实用新型提供的掩模版组合，来定义接触插塞的形成位置，以使得核心区边界处的部分有源区的上方无接触插塞，而核心区边界处的其他有源区以及核心区内部的有源区的上方均有接触插塞，由此，后续再采用现有工艺在核心区的内部和边界处形成相应的电学结构时，使得核心区边界处的部分电学结构因其下方没有与有源区接触的接触插塞而变为虚拟结构，由此可以避免制造出来的半导体器件因核心区边界处的电学结构的问题而导致不能通过相关测试的问题，继而提高了制得的半导体器件的性能和合格率。
基本信息
专利标题 ：
掩模板组合、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921633831.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN210778544U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
赖惠先童宇诚林昭维朱家仪吕前宏
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201921633831.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/8242 H01L23/538 H01L27/108
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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