半导体器件

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摘要

本实用新型提供了一种半导体器件，包括形成有第一层间介质层的衬底、第二层间介质层、导电互连线以及硬掩膜层，其中，所述第一层间介质层中镶嵌有至少一个导电插塞，所述第二层间介质层覆盖于所述第一层间介质层上，且所述第二层间介质层中形成有多个贯穿所述第二层间介质层的第二沟槽，且至少部分第二沟槽暴露出相应的所述导电插塞的顶部，所述导电互连线填充在所述第二沟槽中并与相应的所述导电插塞的顶部相接触，所述硬掩膜层覆盖在所述第二沟槽外围的所述第二层间介质层上，并将相邻的所述导电互连线的顶部之间隔开。本方案能够有效通过硬掩膜层，精准且有效地控制形成的导电互连线之间的间隙宽度，避免了导电互连线条桥接的问题。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020247738.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-02

授权号：

CN211350636U

授权日：

2020-08-25

发明人：

张傲峰李建财陈世昌王建智

申请人：

合肥晶合集成电路有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹廷廷

优先权：

CN202020247738.9

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L21/768 H01L21/311