半导体装置及内连线的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种半导体装置及内连线的制造方法。在形成内连线开口及介层洞之前，先于金属层间介电层的表面上形成一化学机械研磨停止层。内连线开口及介层洞可通过双镶嵌制程形成。在将导电材料填入内连线开口与介层洞之后，以化学机械研磨制程对晶圆进行平坦化，而余留至少一部分的化学机械研磨停止层。本发明提供的半导体装置及内连线的制造方法，可防止或减少膜层脱层以及接触腐蚀缺陷。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及内连线的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790666A
申请号 ：
CN200510123427.1
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄学理余振华吕伯雄吴斯安
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510123427.1
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-03-19 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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