半导体连线结构
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体连线结构。该半导体连线结构包括:信号线路,设置在基板內;信号通孔,设置在所述基板內并且与所述信号线路电连接;信号焊球,设置在基板上并且与信号通孔电连接;接地通孔,设置在信号通孔周围;接地焊球,设置在信号焊球的周围并且与接地通孔电连接;信号通孔和信号焊球在同一水平面的投影部分重叠,接地通孔位于信号通孔的远离信号线路的一侧。该半导体连线结构能够提高半导体连线结构的阻抗匹配度,减小信号的反射损耗,提高信号的传输品质。
基本信息
专利标题 :
半导体连线结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284249A
申请号 :
CN202111515915.2
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
蔡承佑
申请人 :
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 :
北京植德律师事务所
代理人 :
唐华东
优先权 :
CN202111515915.2
主分类号 :
H01L23/66
IPC分类号 :
H01L23/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的,用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
H01L23/66
高频匹配器
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/66
申请日 : 20211203
申请日 : 20211203
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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