内连线结构及其制作方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种内连线结构，此内连线结构包括一衬底、一第一介电层、一双镶嵌结构、一第一光吸收层、一第二介电层以及一第二光吸收层。第一介电层配置于衬底上。第一光吸收层配置于衬底与第一介电层之间。双镶嵌结构配置于第一介电层与第一光吸收层中，并且与衬底的一导电区电性连接。第二介电层配置于第一介电层上。第二光吸收层配置于第一介电层与第二介电层之间。
基本信息
专利标题 ：
内连线结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1956185A
申请号 ：
CN200510118495.9
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许丰裕刘志建黄俊杰陈哲明
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118495.9
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2018-01-19 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/522
登记生效日 : 20180103
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 联华电子股份有限公司
变更后权利人 : 福建省晋华集成电路有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
变更后权利人 : 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
登记生效日 : 20180103
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 联华电子股份有限公司
变更后权利人 : 福建省晋华集成电路有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
变更后权利人 : 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
2009-03-04 ：
授权
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100466247C.PDF
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2、
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