内连线结构
公开
摘要
本公开提出一种内连线结构。内连线结构包括介电层、第一导电结构、导电层、第一阻挡层、第二阻挡层及支撑层。第一导电结构位于介电层中；导电层位于介电层上。导电层包括相邻的第一部分与第二部分，且导电层的第二部分位于第一导电结构上。第一阻挡层接触导电层的第一部分；第二阻挡层接触导电层的第二部分；支撑层接触第一阻挡层与第二阻挡层。气隙位于第一阻挡层与第二阻挡层之间，且介电层与支撑层暴露至气隙。
基本信息
专利标题 ：
内连线结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530431A
申请号 ：
CN202210031627.8
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄心岩罗廷亚李劭宽邓志霖李承晋张孝慷眭晓林
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂慧荃
优先权 ：
CN202210031627.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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