金属内连线结构及其制造方法
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摘要

本发明提供一种金属内连线结构及其制造方法。两方法可达成其较佳的圆形化轮廓。对于两种方法,是形成一沟槽且导电材料是填入沟槽中。应用蚀刻阻挡层的方法包括形成一蚀刻阻挡层于一层间介电层下。在蚀刻层间介电层的一沟槽之后,是蚀刻阻挡层,以圆形化沟槽边角。化学方法包括在蚀刻沟槽时,改变蚀刻化学物。上述的两种方法可分别使用,或是合并使用。一贯孔结构包括两铜导线且是形成一内连线贯孔。通过使用蚀刻阻挡层方法或是改变蚀刻化学物的方法,可以形成大体上圆形化的边角。本发明是应用在相近足以导致介电膜时间相依介电崩溃的导电特征。本发明当具有较高曲率半径的边角,电场较不集中,且可减少其对于周围介电层的应力。

基本信息
专利标题 :
金属内连线结构及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1779965A
申请号 :
CN200510113921.X
公开(公告)日 :
2006-05-31
申请日 :
2005-10-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘重希
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 :
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 :
刘新宇
优先权 :
CN200510113921.X
主分类号 :
H01L23/522
IPC分类号 :
H01L23/522  H01L21/768  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2008-04-16 :
授权
2006-07-26 :
实质审查的生效
2006-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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