金属内连线的制作方法与结构
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摘要
一金属内连线工艺与结构，其提供设有第一导电体的衬底，先于衬底上形成第一介电层与第一图案化硬掩模，再用第一图案化硬掩模蚀刻形成第一开口与第二导电体，并于第一图案化硬掩模上形成第二介电层与第二图案化硬掩模。最后用第二图案化硬掩模作蚀刻掩模且用第一图案化硬掩模作蚀刻停止层形成第二开口与第三导电体。
基本信息
专利标题 ：
金属内连线的制作方法与结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101000885A
申请号 ：
CN200610005188.4
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周珮玉黄俊仁
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005188.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2009-07-15 ：
授权
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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