内连线结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种内连线结构的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一金属层、第二金属层及连接所述第一金属层和所述第二金属层的金属通孔，其中，所述金属通孔的形成包括：根据所述第一金属层和所述第二金属层中金属导线的延伸方向及间距，对所述金属通孔进行光学仿真图形设计，以修正所述金属通孔。本发明根据第一金属层和第二金属层中金属导线的延伸方向及间距，通过光学仿真图形设计对金属通孔进行修正，借由光学仿真图形设计去收敛现有硬掩模层无法局限的方向，进而避免由于金属导线间距过小导致法人金属通孔两侧的金属导线短路。
基本信息
专利标题 ：
内连线结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334809A
申请号 ：
CN202210229005.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈维邦郭廷晃郑志成
申请人 ：
晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210229005.6
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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