一种金属互连线电迁移的测试结构及方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种金属互连线电迁移的测试结构，包括本征多晶硅电阻、互连线测试结构、温度监控电阻和层间介质层，所述互连线测试结构和所述温度监控电阻相互平行且并排设置，所述本征多晶硅电阻位于所述层间介质层之下，所述互连线测试结构与温度监控电阻位于所述层间介质层之上。本发明还公开了一种金属互连线电迁移的测试方法，在给本征多晶硅电阻通电流使互连线测试结构周围温度达到设定温度之后，给互连线测试结构通恒定电流，并记录失效时间。本发明对金属互连线电迁移的评价不需要因在划片后进行封装测试而消耗硅片，从而大大的降低了成本，并且缩短了测试时间，提高了测试效率，可以实时监控工艺变化对金属互连线电迁移的影响。

基本信息

专利标题：

一种金属互连线电迁移的测试结构及方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1982901A

申请号：

CN200510111413.8

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

胡晓明仲志华韩永召

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111413.8

主分类号：

G01R31/00

IPC分类号：

G01R31/00 G01R31/26 H01L21/66