恒温电迁移测试结构及其圆角光学邻近修正方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种恒温电迁移测试结构，以及一种通过修正得到这种结构的方法。常规用于测试的金属线结构从直角曲折或近似直角曲折形状被修改成拐弯处为圆弧形的圆角结构，通过这样的修改，可以解决原有结构因为薄膜电阻不均匀，而导致恒温电迁移测试不能正常进行的问题。

基本信息

专利标题：

恒温电迁移测试结构及其圆角光学邻近修正方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1937218A

申请号：

CN200510030006.4

公开（公告）日：

2007-03-28

申请日：

2005-09-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王伟张卿彦

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510030006.4

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L21/768

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

法律状态

2019-09-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20080402
终止日期 : 20180923

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101257311882
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005100300064
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111123

2008-04-02 ：

授权

2007-05-23 ：

实质审查的生效

2007-03-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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