光学邻近修正方法
实质审查的生效
摘要

一种光学邻近修正方法,包括:提供初始图形,初始图形具有垂直的第一部和第二部,第一部具有相平行的第一外边和第一内边;根据曝光参量获取最佳分段长度范围;在最佳分段长度范围内根据采样步长获取若干采样长度;对第一外边和第一内边进行分段处理,获取第一边缘段、第二边缘段和若干中间段;采用若干采样长度对第一边缘段、第二边缘段和中间段的进行全排列组合赋值,获取初始图形对应的若干种初始分割图形;获取对应的第一曝光图形;获取每条线段对应的放置边缘误差;根据每种放置边缘误差,获取分割图形。通过对初始版图进行了若干种的分割方案,并通过最终的筛选得到初始版图的最佳分段搭配,克服了经过修正曝光后的图形线端缩头严重的问题。

基本信息
专利标题 :
光学邻近修正方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114326290A
申请号 :
CN202210006263.8
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-01-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邓慧芳王函
申请人 :
华虹半导体(无锡)有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
张瑞
优先权 :
CN202210006263.8
主分类号 :
G03F1/36
IPC分类号 :
G03F1/36  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20220104
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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