本申请提供一种光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。可以大大提升光学邻近修正的准确性，以得到更为准确的掩膜版图案。