光学临近修正方法、装置及电子设备
公开
摘要
本发明提供了一种光学临近修正方法、装置及电子设备。在本发明提供了一种光学临近修正方法中，其通过将测试版图中的所有主图形按照图形尺寸的不同进行分类，然后将分类后的各类主图形集合中的主图形按照其图形尺寸的不同设置不同的光学临近修正的循环迭代次数，从而避免了现有技术中对测试版图中的任何主图形都采用同一光学临近修正的循环迭代次数（利用小图形尺寸的主图形的收敛度而确定的次数较多的OPC循环迭代次数），造成的测试版图的整体OPC执行时间过长，以及人力和物力资源浪费的问题。
基本信息
专利标题 ：
光学临近修正方法、装置及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609858A
申请号 ：
CN202210506434.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-05-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘秀梅罗招龙赵广
申请人 ：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210506434.3
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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