光学临近修正方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种光学临近修正方法及装置，应用于半导体技术领域。由于本发明提供的光学临近修正方法可以在每次OPC修正后或某次OPC修正后，开始对主图形与其周围的辅助图形之间的距离进行调整，从而避免了现有技术中在对主图形进行辅助图形添加后，由于OPC修正导致的版图中主图形的部分形状改变，引起的经过OPC修正后的主图形和其周围的辅助图形之间的距离发生变化（变小），进而降低了版图的光刻工艺窗口、OPC修正过程中的准确度以及延缓研发进度的问题。
基本信息
专利标题 ：
光学临近修正方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488681A
申请号 ：
CN202210335630.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵广罗招龙刘秀梅
申请人 ：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210335630.9
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20220401
申请日 : 20220401
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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