一种光学临近修正前的预处理方法
授权
摘要
本发明提供一种光学临近修正前的预处理方法,属于微电子光学临近修正技术领域,包括:将原始目标图形输入预处理软件;扩展第一短边和第一邻边形成正交方向的第一矩形,扩展第二短边和第二邻边形成正交方向的第二矩形;通过预处理软件选定第三邻边,并将第三邻边向两端延长一预定长度后扩展第三邻边形成第三矩形;将第一矩形和第二矩形做逻辑和运算处理后得到第一图形,并将第一图形与第三矩形做逻辑非处理后得到第一多边形;将原始目标图形和第一多边形合并得到处理后目标图形。本发明的有益效果:可以针对性的填充斜边上的图形缺口,从而去除不利于光学临近修正的因素,使OPC结果更好的符合预期。
基本信息
专利标题 :
一种光学临近修正前的预处理方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109143773A
申请号 :
CN201811204210.7
公开(公告)日 :
2019-01-04
申请日 :
2018-10-16
授权号 :
CN109143773B
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
张浩张辰明陈翰
申请人 :
上海华力微电子有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
代理机构 :
上海申新律师事务所
代理人 :
俞涤炯
优先权 :
CN201811204210.7
主分类号 :
G03F1/36
IPC分类号 :
G03F1/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-05-27 :
授权
2019-01-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20181016
申请日 : 20181016
2019-01-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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