光学临近效应修正方法及系统和掩膜版
公开
摘要
本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版，该方法包括：根据当前层的前一层的图形对光刻的原始设计图形中当前层的区域进行分类以获得区域所属的类别，区域所属的类别包括原始设计图形中当前层中与前一层上下重叠的重叠区域和不重叠的非重叠区域；对各个类别的区域设定优先级，其中，重叠区域的优先级高于非重叠区域的优先级；在原始设计图形的边缘设置多个目标点，所述重叠区域的边缘设置的目标点的密度大于所述非重叠区域设置的目标点的密度；根据OPC模型获得原始设计图形的修正图形，并对其进行模拟以获得图形模拟结果；计算各个目标点处图形模拟结果和原始设计图形之间的差异；根据差异以及目标点的权重，对修正图形进行调整。
基本信息
专利标题 ：
光学临近效应修正方法及系统和掩膜版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609857A
申请号 ：
CN202011409455.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙鹏飞王谨恒陈洁朱斌张剑曹楠
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
高伟
优先权 ：
CN202011409455.0
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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