OPC修正方法及OPC修正系统
授权
摘要
本发明提供了一种OPC修正方法及一种OPC修正系统，所述OPC修正方法包括：提供待修正的版图图形的集成电路版图以及亚分辨率辅助图形与待修正的版图图形之间的最小间距；选择待修正的版图图形中的若干个作为目标图形，目标图形之间具有冲突区；将目标图形的边界以所述最小间距往外放大形成膨胀层，冲突区透过膨胀层形成暴露区域；在暴露区域添加亚分辨率辅助图形。本发明提供的OPC修正系统包括：存储模块、选择模块、图形变换模块以及修正模块。本发明提供的OPC修正方法在目标图形的冲突区内限定一可以设置亚分辨率辅助图形的暴露区域，在所述暴露区域可以有效并准确地形成亚分辨率辅助图形而不会产生交集。
基本信息
专利标题 ：
OPC修正方法及OPC修正系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110058485A
申请号 ：
CN201910385297.0
公开（公告）日 ：
2019-07-26
申请日 ：
2019-05-09
授权号 ：
CN110058485B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
乔彦辉李林于世瑞
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
屈蘅
优先权 ：
CN201910385297.0
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-08-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20190509
申请日 : 20190509
2019-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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