一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统,其包括以下步骤:建立初始模型;设置测试图形,并在所述测试图形的一侧设置监控图形,且所述测试图形和所述监控图形之间具有间隙;获取光刻机的曝光阈值范围;调整所述初始模型中的参数,修正所述测试图形和所述监控图形,并获取所述测试图形和所述监控图形的光强分布图,以及所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的模拟图形;以及将所述间隙的光强值小于曝光阈值范围,且所述模拟图形与目标图形拟合度最高时的初始模型,作为光学临近效应修正模型。通过本发明提供的一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统,可提高半导体制程的准确率。

基本信息
专利标题 :
一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114415467A
申请号 :
CN202210315048.6
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-03-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王康罗招龙吴晨雨杜宇
申请人 :
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
苗晓娟
优先权 :
CN202210315048.6
主分类号 :
G03F1/36
IPC分类号 :
G03F1/36  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20220329
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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