光学临近效应修正方法及系统和掩膜版
公开
摘要
本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版，该方法包括：提供原始设计图形，其中，原始设计图形中包括多个条状图形；获取原始设计图形中的多个条状图形中的至少一个条状图形的孤立部分；在孤立部分的边添加第一偏移量，以使第一端部和非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使孤立部分的边具有一个或多个第二台阶。本发明实施例的光学临近效应修正方法，有效避免‘倒胶’现象，防止图形线条收缩(pinch)，从而提高OPC精度，提高线宽CDU，降低工艺风险，减小硅片上得到图形与掩模版图形之间的偏差，从而提高电路性能与产品良率。
基本信息
专利标题 ：
光学临近效应修正方法及系统和掩膜版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114594655A
申请号 ：
CN202011431775.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙鹏飞王谨恒陈洁朱斌张剑曹楠
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
高伟
优先权 ：
CN202011431775.6
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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