光刻模拟和光学邻近校正
实质审查的生效
摘要
本公开内容的实施方式涉及光刻模拟和光学邻近校正。场引导曝光后烘烤工艺使得能够改善光刻性能，并且这样的工艺的各种参数包括于根据本文所述的实施方式产生的光学邻近校正模型中。光学邻近校正模型包括以下一个或多个参数：各向异性酸蚀刻特性、离子产生和/或运动特性、电子运动特性、空穴运动特性和化学反应特性。
基本信息
专利标题 ：
光刻模拟和光学邻近校正
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514468A
申请号 ：
CN202080065502.6
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴辉雄芒格什·阿肖克·邦阿平克什·罗希特·沙阿斯里尼瓦斯·D·内曼尼史蒂文·希隆·韦尔奇克里斯托弗·小·唯格·恩盖怡利·Y·叶
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202080065502.6
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20200731
申请日 : 20200731
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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