用于执行光学邻近校正的方法、设备和存储介质
实质审查的生效
摘要
根据本公开的示例实施例,提供了用于执行光学邻近校正(OPC)的方法、装置、设备和计算机可读存储介质。在该方法中,通过修改第一掩模版图,确定第二掩模版图,第一掩模版图与第一精度格式的目标图案相关联。通过使用第二精度格式对第二掩模版图应用光刻模型,确定第二精度格式的晶圆图像,第二精度格式的精度低于第一精度格式。将第二精度格式的晶圆图像转换为第一精度格式的晶圆图像。使用第一精度格式确定指示第一精度格式的晶圆图像与目标图案之间的差异的度量指标。基于度量指标满足预定标准,输出第二掩模版图。以此方式,通过混合使用高精度和低精度格式,可以提高计算速度并且减少对计算资源和存储资源的消耗,从而提高执行OPC的效率。
基本信息
专利标题 :
用于执行光学邻近校正的方法、设备和存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114326289A
申请号 :
CN202111639164.5
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
不公告发明人
申请人 :
全芯智造技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J2C栋13楼
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
张宁
优先权 :
CN202111639164.5
主分类号 :
G03F1/36
IPC分类号 :
G03F1/36 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载