光学邻近效应校正方法、掩膜版及可读存储介质
公开
摘要
本发明涉及一种光学邻近效应校正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备，该校正方法包括：获取光刻掩膜设计图形；从光刻掩膜设计图形中选中符合第一条件的孤立金属图形；对所述孤立金属图形进行预处理，使所述孤立金属图形两端的宽度大于中间的宽度；根据预处理后的孤立金属图形得到掩膜版制版图形。对孤立金属图形进行额外的OPC处理，使孤立金属图形两端的宽度均大于中间的宽度，能够避免因光学邻近效应导致的孤立金属图形形成金属线条后在端部出现线条短缺，使得金属线条对前一层次填充孔的填充包裹效果较差，导致器件关键参数波动的问题，使得产品性能更稳定。
基本信息
专利标题 ：
光学邻近效应校正方法、掩膜版及可读存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578650A
申请号 ：
CN202011379831.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱斌王谨恒陈洁张剑曹楠孙鹏飞
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
姚姝娅
优先权 ：
CN202011379831.6
主分类号 ：
G03F1/36
IPC分类号 ：
G03F1/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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