掩膜版修复方法及掩膜版
公开
摘要
一种掩膜版修复方法及掩膜版，其中，修复方法包括：形成掩膜版，所述掩膜版包括透光基板和遮光层，所述透光基板包括透光区和遮光区，所述遮光层位于所述遮光区表面并暴露出所述透光区的透光基板表面，所述透光区的透光基板表面具有凹坑；在所述凹坑内形成透光修复层。通过在所述凹坑内形成透光修复层，增加了在透光区的凹坑及周围处的透光率，提高了曝光工艺中转移的图形精度。
基本信息
专利标题 ：
掩膜版修复方法及掩膜版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609860A
申请号 ：
CN202011429542.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
秦学飞李德建田明静陈明卢聪
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011429542.2
主分类号 ：
G03F1/72
IPC分类号 ：
G03F1/72 G03F1/74
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/68
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
G03F1/72
掩膜缺陷的修复或校正
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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