本申请实施例提供了一种掩膜版、基于掩膜版的拼接曝光方法，该掩膜版应用于阵列基板上的多个连续排布的单元区的拼接曝光，掩膜版包括透明基板，透明基板上设置有主遮光部和两个侧遮光部。一个侧遮光部、主遮光部和另一个侧遮光部沿第一方向依次连接。每个侧遮光部内设置有透光区，透光区在第二方向上的尺寸大于主遮光部在第二方向上的尺寸，且第一方向与第二方向之间呈指定夹角。掩膜版的主遮光部和侧遮光部分别与对应的单元区正对，在曝光机进行曝光之前，设置曝光机的遮光板不遮挡侧遮光部的透光区，透光区正对的单元区中的子区域便可以被曝光机照射，该子区域中的光刻胶和金属层能够被去除，阵列基板的走线在该子区域被切断，形成走线的断口。